find similar
Xinquehui Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. logo
Xinquehui Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.
Shenzhen, CN1 annoFornitore multispecialistico
4.9/5(6)
Valutazione del negozio
≤1h
Tempo di risposta
≥100%
Tasso di consegna puntuale
23%
Tasso di riacquisto
Personalizzazione minima
Personalizzazione tramite disegno

Principali mercati: Emirati Arabi Uniti, Indonesia, Paesi Bassi, India, Stati Uniti

Memoria SDRAM DDR3L da 8Gb AS4C512M16D3LB-12BIN | 512Mx16, Parallelo, 800MHz, 1.283V-1.45V | 96-FBGA(9x14), -40 ° Da C a 95 ° C, Disponibile

Ancora nessuna recensione
0,0088-0,0872 €
Quantità minima d'ordine: 1 parte

Codice data di produzione

2549
Capacità di personalizzazione del fornitore
Personalizzazione minima
Personalizzazione tramite disegno
Personalizzazione basata su campioni
Personalizzazione completa

Caratteristiche principali

Marca

Original Manufacturer

Codice articolo produttore

AS4C512M16D3LB-12BIN

Tipo

Circuito Integrato

Tipo di montaggio

N/D

Velocità di Trasmissione dati

N/D

Dimensione della memoria

2Gbit

Spedizione

Spese di spedizione e data di consegna da concordare. Contatta il fornitore per maggiori informazioni.

Protezione dell'ordine di Alibaba.com

Pagamenti sicuri

Ogni pagamento che effettui su Alibaba.com è protetto da una rigorosa crittografia SSL e dai protocolli di protezione dei dati PCI DSS.

Reso semplice

Offri resi locali gratuiti per difetti sugli acquisti idonei

Garanzia di rimborso

Richiedi un rimborso se il tuo ordine non viene spedito, è smarrito o arriva con problemi relativi al prodotto

Pagamenti e finanziamenti

4 rate senza interessi con

Caratteristiche principali

Marca
Original Manufacturer
Codice articolo produttore
AS4C512M16D3LB-12BIN
Tipo
Circuito Integrato
Tipo di montaggio
N/D
Velocità di Trasmissione dati
N/D
Dimensione della memoria
2Gbit
Punto d'origine
Original
Descrizione
SDRAM - Memoria DDR3L IC 8Gbit Parallela 800 MHz 20 ns 96-FBGA (13,5x9)
Tipo di imballaggio
Vassoio
Funzione
N/D
Applicazione
Memoria e Archiviazione
Temperatura di funzionamento
-40°C~95°C(TC)
Contenitore/Involucro
96 piedi-TFBGA
Serie
N/D
Caratteristiche
N/D
Croce di Riferimento
N/D
Chimica della batteria
N/D
Tipo di memoria
N/D
Interfaccia di memoria
N/D
Corrente-Alimentazione (Max)
N/D
La tecnologia
N/D
-Tensione di Alimentazione
1,283 V ~ 1,45 V
Tipo di espansione
N/D
Bus direzionale
N/D
Frequenza dell'orologio
800 MHz
Organizzazione della memoria
N/D
Scrivi tempo di ciclo-parola, pagina
15ns

Imballaggio e consegna

Unità vendute
Singolo articolo

Tempo di lavorazione

Descrizioni dei prodotti fornite dal fornitore

Avviso/Clausola di esclusione di responsabilità
California Proposition 65 Avvertenza per i consumatori