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Transistor MOSFET CMD100N03 HuanXin 100A 30V TO-252, MOSFET CMD 100N03 CMD100N03B CMD100N03

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TRANSISTOR

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Tipo
Transistor
Marca
Original
Tipo del pacchetto
Originale
Descrizione
TRANSISTOR
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Guangdong, China
Contenitore/Involucro
Standard
Temperatura di funzionamento
Standard
Serie
Originale
Codice data di produzione
Nuovo
Tipo Fornitore
Produttore originale
Media Disponibile
Scheda tecnica
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
Standard
Tensione di rottura collettore-emettitore (max)
Standard
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
Standard
Corrente-Collettore di Taglio (Max)
Standard
DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standard
Potenza-Max
Standard
Frequenza-di Transizione
Standard
Resistenza-Base (R1)
Standard
Resistenza-Emettitore Base (R2)
Standard
Tipo FET
Standard
FET Caratteristica
Standard
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
Standard
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Standard
Vgs (th) (Max) @ Id
Standard
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
Standard
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
Standard
Frequenza
Standard
Corrente Nominale (Ampere)
Standard
Figura di rumore
Standard
Potenza di Uscita
Standard
-Tensione Nominale
Standard
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
Standard
Vgs (Max)
Standard
Tipo IGBT
Standard
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
Standard
Ingresso
Standard
NTC Termistore
Standard
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
Standard
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Consumo di corrente (Id)-Max
Standard
-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
Standard
Resistenza-RDS (On)
Standard
Tensione-Uscita
Standard
-Tensione di Offset (Vt)
Standard
Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
Standard
Corrente-Valle (Iv)
Standard
Corrente di Picco-Picco
Standard
Tipo di montaggio
Standard
Lead time
1-7 giorni
Imballaggio
Originale
Fornitori
Tecnologia di Shenzhen Huanxin Co., Ltd.

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Singolo articolo
Dimensione confezione singola
20X10X5 cm
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