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FGP5N60UFDTU Richiedi un nuovo preventivo prima dell'ordine Transistor MOS IGBT Originale 600V 10A 81W TO220 5N60

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Codice articolo produttore

FGP5N60UFDTU

Tipo

IGBT Transistor

Marca

Original

Tipo del pacchetto

Foro passante

Descrizione

Insulated Gate Bipolar Transistor

Punto d'origine

China

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Codice articolo produttore
FGP5N60UFDTU
Tipo
IGBT Transistor
Marca
Original
Tipo del pacchetto
Foro passante
Descrizione
Insulated Gate Bipolar Transistor
Punto d'origine
China
Contenitore/Involucro
TO-220
Temperatura di funzionamento
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Serie
IGBT tube/module
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